申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2018-08-16

公开（公告）日：2020-04-10

公开（公告）号：CN110998858A

主分类号：H01L29/66(20060101)

分类号：H01L29/66(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：["20170816 US 62/546,549"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2024.01.12#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.09.15#实质审查的生效;2020.04.10#公开

摘要：一种形成半导体器件的方法，包括：提供起始结构，该起始结构包括基板，在该基板上具有多个栅极区域，所述多个栅极区域与多个源极漏极SD区域交替地布置，其中，栅极区域中的每一个包括纳米沟道结构，该纳米沟道结构具有由替代栅极包围的中间部分以及由相应的栅极间隔件包围的相对端部，使得纳米沟道结构延伸通过栅极区域的替代栅极和栅极间隔件。SD区域中的每一个包括延伸通过SD区域的SD结构，以连接分别设置在SD区域的相对侧上的第一相邻栅极区域和第二相邻栅极区域的纳米沟道结构。将第一相邻栅极区域转换成包括虚设栅极结构的单扩散隔断；以及将第二相邻栅极区域转换成包括有源栅极结构的栅极区域，该有源栅极结构被配置成在第二相邻栅极区域的纳米沟道结构内产生电流沟道。

主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供起始结构，所述起始结构包括基板，在所述基板上具有多个栅极区域，所述多个栅极区域与多个源极漏极SD区域交替地布置，其中，所述栅极区域中的每一个包括纳米沟道结构，所述纳米沟道结构具有由替代栅极包围的中间部分以及由相应的栅极间隔件包围的相对端部，使得所述纳米沟道结构延伸通过所述栅极区域的所述替代栅极和所述栅极间隔件，并且其中，所述SD区域中的每一个包括延伸通过所述SD区域的SD结构，以连接分别设置在所述SD区域的相对侧上的第一相邻栅极区域和第二相邻栅极区域的纳米沟道结构；将所述第一相邻栅极区域转换成包括虚设栅极结构的单扩散隔断；以及将所述第二相邻栅极区域转换成包括有源栅极结构的有源栅极，所述有源栅极结构被配置成在所述第二相邻栅极区域的所述纳米沟道结构内产生电流沟道。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 用于将单扩散隔断并入FET器件的纳米沟道结构中的方法和器件

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