申请/专利权人：天津三安光电有限公司

申请日：2016-03-17

公开（公告）日：2020-05-12

公开（公告）号：CN105633229B

主分类号：H01L33/06(20100101)

分类号：H01L33/06(20100101);H01L33/08(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.12#授权;2016.06.29#实质审查的生效;2016.06.01#公开

摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其利用选择性生长方式形成分段的量子井，避免光子在LED内量子井的再吸收效应，使得外部萃取效率提升，亮度增加。所述发光二极管包括发光二极管，依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层的上表面至少划分为第一生长区和第二生长区，所述有源层通过选择性外延生长的方式仅形成于所述第一生长区，所述第二半导体层通过外延生长覆盖所述有源层及第一半导体层的第二生长区。

主权项：1.发光二极管，依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，其特征在于：所述第一半导体层的上表面划分为第一生长区、第二生长区和第三生长区，其中第一、第三生长区通过第二生长区间隔开，所述有源层通过外延生长的方式仅形成于所述第一生长区和第三生长区，其中第三生长区的有源层高于第一生长区的有源层，形成交错型有源层，所述第二半导体层通过外延生长覆盖所述有源层及第一半导体层的第二生长区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津三安光电有限公司 发光二极管及其制作方法

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