申请/专利权人：杭州洪芯微电子科技有限公司

申请日：2019-08-22

公开（公告）日：2020-05-22

公开（公告）号：CN210609069U

主分类号：H03F1/02(20060101)

分类号：H03F1/02(20060101);H03F1/42(20060101);H03F3/68(20060101);H03G3/30(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.22#授权

摘要：本实用新型公开了一种CMOS跨阻放大器，包括反相放大电路和反馈电阻，反向放大电路包括输入端和输出端；反馈电阻耦接与反相放大电路的输入端和输出端之间；反向放大电路包括至少三个依次连接的放大单元，每一放大单元包括至少三个相互耦接的nFET，即输入信号接收部nFET、中间部nFET和直流信号接收部nFET，中间部nFET耦接于输入信号接收部nFET与直流信号接收部nFET之间的位置，输入信号接收部nFET和中间部nFET的公共连接端用于输出放大后的电压信号。本实用新型的CMOS跨阻放大器通过增设至少一个nFET，使每一级放大单元的工作电压占据供电电压的比例上升，提高了供电电压的资源利用率，同时也降低了供电电压的非必要能耗。

主权项：1.一种CMOS跨阻放大器，其特征在于：所述CMOS跨阻放大器包括反向放大电路，所述反向放大电路包括输入端和输出端，所述输入端用以接入输入电压信号，所述输出端用以输出放大电压信号；所述反向放大电路包括至少三个依次连接的放大单元，每一所述放大单元包括至少三个相互耦接的nFET；所述至少三个相互耦接nFET中，输入信号接收部nFET用于接入输入电压，直流信号接收部nFET用于接入直流电压信号，在输入信号接收部nFET和直流信号接收部nFET之间的位置耦接有中间部nFET，所述中间部nFET至少包括一个nFET，所述输入信号接收部nFET与其中一个中间部nFET具有公共连接端，所述公共连接端用于输出放大后的电压信号；所述CMOS跨阻放大器还包括一反馈电阻，所述反馈电阻耦接与所述反向放大电路的输入端和输出端之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州洪芯微电子科技有限公司 一种CMOS跨阻放大器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD