申请/专利权人：夏泰鑫半导体(青岛)有限公司

申请日：2019-10-25

公开（公告）日：2020-06-23

公开（公告）号：CN111326406A

主分类号：H01L21/027(20060101)

分类号：H01L21/027(20060101)

优先权：["20181213 US 62/778923"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.12.29#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.07.17#实质审查的生效;2020.06.23#公开

摘要：本发明提供一种半导体结构抗反射层形成方法，以解决上述技术问题。所述半导体结构包括：基础层和具有多个元素并与基础层物理接触的抗反射层；其中多个元素包括硅Si元素，碳C元素和氮N元素。而形成所述半导体结构的方法包括：在处理室中提供基础层；和直接在基础层上形成抗反射层，该抗反射层具有多个元素；其中多个元素包括硅Si元素，碳C元素和氮N元素。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基础层；和具有多个元素并与基础层物理接触的抗反射层；其中多个元素包括硅Si元素，碳C元素和氮N元素。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 半导体结构抗反射层

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD