申请/专利权人：深圳镓华微电子有限公司

申请日：2020-04-07

公开（公告）日：2020-06-26

公开（公告）号：CN111341660A

主分类号：H01L21/335(20060101)

分类号：H01L21/335(20060101);H01L29/778(20060101);H01L29/40(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要：本发明提供一种氮化镓MISHEMT的制作方法，包括：晶圆开槽并在槽内沉积金属得到源极金属、漏极金属以及栅门金属；表面沉积第一绝缘介质层；将第一绝缘介质层开口以打开源极金属以及漏极金属，并在开口内形成第一链接金属；表面沉积第一金属层；刻蚀第一金属层得到链接源极金属的第一源极金属场板以及链接漏极金属的第一漏极金属场板；表面沉积第二绝缘介质层；将第二绝缘介质层开口以分别打开第一源极金属场板以及第一漏极金属场板，并在开口内形成第二链接金属；表面沉积第二金属层；刻蚀第二金属层得到链接第一源极金属场板的第二源极金属场板以及链接第一漏极金属场板的第二漏极金属场板；表面沉积钝化层。本发明能够有效提高器件抗压性能。

主权项：1.一种氮化镓MISHEMT的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：晶圆开槽并在槽内沉积金属得到源极金属、漏极金属以及栅门金属；表面沉积第一绝缘介质层；将所述第一绝缘介质层开口以打开所述源极金属以及所述漏极金属，并在开口内形成第一链接金属；表面沉积第一金属层；刻蚀所述第一金属层得到链接所述源极金属的第一源极金属场板以及链接所述漏极金属的第一漏极金属场板；表面沉积第二绝缘介质层；将所述第二绝缘介质层开口以分别打开所述第一源极金属场板以及所述第一漏极金属场板，并在开口内形成第二链接金属；表面沉积第二金属层；刻蚀所述第二金属层得到链接所述第一源极金属场板的第二源极金属场板以及链接所述第一漏极金属场板的第二漏极金属场板；表面沉积钝化层以覆盖所述第二源极金属场板以及所述第二漏极金属场板。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳镓华微电子有限公司 氮化镓MISHEMT的制作方法以及结构

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