申请/专利权人：窦祥峰

申请日：2019-04-23

公开（公告）日：2020-07-14

公开（公告）号：CN211017079U

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/45(20060101);H01L23/29(20060101);H01L23/31(20060101);H01L29/778(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2022.04.05#未缴年费专利权终止;2020.07.14#授权

摘要：本实用新型公开了一种氮化镓MISHEMT功率器件的结构，包括从下至上依次结合在一起的硅基层、氮化镓电路层、氮化镓势垒层、氮化硅介质层，还有高阻区、钛铝合金欧姆沟道、镍金导电区、第一氮化硅穿透涂层、第一钛金导电涂层、第二氮化硅穿透涂层、第二钛金导电涂层、第三氮化硅穿透涂层、源极、栅极、漏极；所述硅基层由低阻硅材料制成；所述氮化镓电路层是外延层；所述的氮化镓MISHEMT功率器件是N型二维电子气沟道，硅基金属氧化物栅极接触高电子迁移率晶体管。该结构的氮化镓MISHEMT功率器件抗辐照能力高，在关态时的泄漏电流低，静态功耗低，辐照情况的失效概率低，承受的击穿电压高。

主权项：1.一种氮化镓MISHEMT功率器件的结构，其特征在于：包括从下至上依次结合在一起的硅基层1、氮化镓电路层2、氮化镓势垒层3、氮化硅介质层4，所述氮化硅介质层4有两个沟槽，两个所述沟槽将所述氮化硅介质层4分为三段，第一段所述氮化硅介质层4的面积小于第二段所述氮化硅介质层4的面积，第二段所述氮化硅介质层4的面积小于第三段所述氮化硅介质层4的面积，两个所述沟槽内分别设置有钛铝合金欧姆沟道6，所述氮化镓电路层2的左侧上部、所述氮化镓势垒层3的左侧、第一段所述氮化硅介质层4的左侧通过离子注入隔离硅常氧工艺形成高阻区5，所述氮化镓电路层2的右侧上部、所述氮化镓势垒层3的右侧、第三段所述氮化硅介质层4的右侧通过离子注入隔离硅常氧工艺形成高阻区5，第二段所述氮化硅介质层4的上面中部偏左设置有镍金导电区7，始于所述高阻区5的左侧上面止于第三段所述氮化硅介质层4的右侧上面涂覆有第一氮化硅穿透涂层8，所述第一氮化硅穿透涂层8位于两个所述钛铝合金欧姆沟道6的上面中部处于断开状态使所述第一氮化硅穿透涂层8分为三段，第一段所述第一氮化硅穿透涂层8的左侧上面有一个直角缺口，第二段所述第一氮化硅穿透涂层8的上面有两个凹槽，左侧所述凹槽位于左侧所述钛铝合金欧姆沟道6和所述镍金导电区7之间的上方，右侧所述凹槽位于右侧所述钛铝合金欧姆沟道6和所述镍金导电区7之间的上方，左侧所述凹槽的宽度小于右侧所述凹槽的宽度，第三段所述第一氮化硅穿透涂层8的右侧上面有一个直角缺口，始于第一段所述第一氮化硅穿透涂层8左侧上面的直角缺口内止于第三段所述第一氮化硅穿透涂层8右侧上面的直角缺口内涂覆有第一钛金导电涂层9，所述第一钛金导电涂层9位于第二段所述第一氮化硅穿透涂层8右侧所述凹槽内的中部处于断开状态使所述第一钛金导电涂层9分为两段，第一段所述第一钛金导电涂层9的左侧上面有一个直角缺口，第一段所述第一钛金导电涂层9的中部有两个凹槽，左侧所述凹槽位于第一段所述第一氮化硅穿透涂层8和第二段所述第一氮化硅穿透涂层8之间的上方，右侧所述凹槽位于第二段所述第一氮化硅穿透涂层8左侧所述凹槽的上方，右侧所述凹槽的深度小于左侧所述凹槽的深度，第二段所述第一钛金导电涂层9的中部有一个凹槽，所述凹槽位于第二段所述第一氮化硅穿透涂层8和第三段所述第一氮化硅穿透涂层8之间的上方，始于第一段所述第一氮化硅穿透涂层8的左侧止于第三段所述第一氮化硅穿透涂层8的右侧涂覆有第二氮化硅穿透涂层10，所述第二氮化硅穿透涂层10位于第一段所述第一钛金导电涂层9的左侧凹槽内的中部处于断开状态，所述第二氮化硅穿透涂层10位于第二段所述第一钛金导电涂层9凹槽内的中部处于断开状态，使所述第二氮化硅穿透涂层10分为三段，第二段所述第二氮化硅穿透涂层10的中部有两个凹槽，左侧所述凹槽位于第一段所述第一钛金导电涂层9的右侧凹槽的上方，右侧所述凹槽位于第一段所述第一钛金导电涂层9和第二段所述第一钛金导电涂层9之间的上方，始于第一段所述第二氮化硅穿透涂层10左侧偏右止于第三段所述第二氮化硅穿透涂层10右侧偏右涂覆有第二钛金导电涂层11，所述第二钛金导电涂层11位于第二段所述第二氮化硅穿透涂层10右侧所述凹槽内的中部处于断开状态使所述第二钛金导电涂层11分为两段，第一段所述第二钛金导电涂层11的左侧上面有一个直角缺口，所述直角缺口的根部向下延伸形成凹槽，第一段所述第二钛金导电涂层11的右侧上面有一个直角缺口，第一段所述第二钛金导电涂层11的左部是源极S，第一段所述第二钛金导电涂层11的右部是栅极G，第二段所述第二钛金导电涂层11的右侧上面有一个直角缺口，第二段所述第二钛金导电涂层11的右部是漏极D，始于第一段所述第二氮化硅穿透涂层10左侧的上面止于右侧的所述高阻区5右侧涂覆有第三氮化硅穿透涂层12，所述第三氮化硅穿透涂层12开有三个沟槽，三个所述沟槽将所述第三氮化硅穿透涂层12分为四段，第二段所述第三氮化硅穿透涂层12右侧的上面有一个直角缺口，第四个所述第三氮化硅穿透涂层12右侧的上面有一个直角缺口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 窦祥峰 一种氮化镓MISHEMT功率器件的结构

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