申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
申请日:2019-01-11
公开(公告)日:2020-07-21
公开(公告)号:CN111435655A
主分类号:H01L27/02(20060101)
分类号:H01L27/02(20060101);H01L21/336(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.07.21#授权;2020.08.14#实质审查的生效;2020.07.21#公开
摘要:本揭示实施例涉及半导体装置的测试方法及制造方法。根据本发明的一些实施例,一种半导体装置的制造方法,包含:提供半导体衬底;形成鳍片结构在半导体衬底;形成闸极结构在鳍片结构;分别形成汲极区域及源极区域在鳍片结构;取得汲极区域及源极区域之间的通道区以及鳍片结构的热时间常数;以及根据热时间常数,对通道区以及鳍片结构进行热模拟。
主权项:1.一种半导体装置的测试方法,其特征在于,包含:取得半导体装置,上述半导体装置包含鳍式场效晶体管;取得上述鳍式场效晶体管的热时间常数thermaltimeconstant;以及根据上述热时间常数,对上述鳍式场效晶体管进行热模拟。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置的测试方法及制造方法
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