申请/专利权人：胜高股份有限公司

申请日：2018-10-22

公开（公告）日：2020-10-13

公开（公告）号：CN111771018A

主分类号：C30B29/06(20060101)

分类号：C30B29/06(20060101);B28D5/04(20060101);C30B33/00(20060101);H01L21/304(20060101)

优先权：["20171219 JP 2017-242865"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.04.19#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要：一种锭块的制造方法，其切断利用提拉法提拉的单晶硅锭并进行外周磨削，从而制造单晶硅的锭块，该锭块的制造方法执行如下工序：在沿锭的长边方向的1个以上的位置，测量锭的径向中心位置的工序S2；设定测量出的锭的径向中心位置的偏离量为规定的偏芯量以下的基准位置的工序S7；根据已设定的基准位置，将锭切断成锭块的工序S8；及执行已切断的各锭块的外周磨削的工序S9。

主权项：1.一种锭块的制造方法，其通过切断利用提拉法提拉的单晶硅锭并进行外周磨削，从而制造单晶硅的锭块，所述锭块的制造方法的特征在于，执行如下工序：在沿所述锭的长边方向的1个以上的位置，测量所述锭的径向中心位置的工序；设定测量出的所述锭的径向中心位置的偏离量为规定的偏芯量以下的基准位置的工序；根据已设定的基准位置，将所述锭切断成锭块的工序；及执行已切断的各锭块的外周磨削的工序。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 胜高股份有限公司 锭块的制造方法、半导体晶片的制造方法及锭块的制造装置

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