申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司

申请日：2020-06-03

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN111816556A

主分类号：H01L21/28(20060101)

分类号：H01L21/28(20060101);H01L21/285(20060101);H01L29/51(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L27/108(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.23#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成沟槽；使用原子层沉积工艺在沟槽表面形成栅极氧化层；在沟槽内填充栅电极层；其中，所述原子层沉积工艺使用的硅前躯体不含Cl元素。本申请利用比Cl的结合力弱的Br或I系列硅前驱体或使用低温下易分解的C和N系列的硅前驱体形成栅氧化层，由于Br或I系列硅前驱体内不含Cl且结合力较弱，可以轻易地被分解，此外，C和N系列的硅前驱体在低温下易分解，大大减少了栅氧化层内的杂质。改善了硅半导体衬底与栅极氧化界面堆积效应而引起栅氧化层的热化，解决了栅极氧化层漏电的问题。

主权项：1.一种晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成沟槽；使用原子层沉积工艺在沟槽表面形成栅极氧化层；在沟槽内填充栅电极层；其中，所述原子层沉积工艺使用的硅前躯体不含Cl元素。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 晶体管及制备方法

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