申请/专利权人：甬矽电子(宁波)股份有限公司

申请日：2020-08-25

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN111816625A

主分类号：H01L23/31(20060101)

分类号：H01L23/31(20060101);H01L25/16(20060101);H01L25/18(20060101);H01L21/56(20060101);H01L21/60(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.12.04#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：本发明的实施例提供了一种多层芯片堆叠结构和多层芯片堆叠方法，涉及芯片堆叠技术领域。该多层芯片堆叠结构包括基板、第一类芯片、第一塑封体和多个第二类芯片。第一类芯片设于基板上并与基板电连接，第一塑封体封装第一类芯片。第一塑封体上设有多个台阶部，多个第二类芯片包括第一芯片和第二芯片，每个台阶部上至少层叠设置第一芯片和第二芯片，第一芯片设于台阶部上，第二芯片设于第一芯片远离台阶部的一侧；并且每个第二类芯片均与基板电连接。该多层芯片堆叠结构支撑稳定，结构紧凑，体积小，打线容易，连接可靠。

主权项：1.一种多层芯片堆叠结构，其特征在于，包括基板、第一类芯片、第一塑封体和多个第二类芯片；所述第一类芯片设于所述基板上并与所述基板电连接，所述第一塑封体封装所述第一类芯片；所述第一塑封体上设有台阶部，所述多个第二类芯片包括第一芯片和第二芯片，每个所述台阶部上层叠设置所述第一芯片和所述第二芯片，所述第一芯片设于所述台阶部上，所述第二芯片设于所述第一芯片远离所述台阶部的一侧；并且所述第一芯片和所述第二芯片均与所述基板电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 甬矽电子(宁波)股份有限公司 多层芯片堆叠结构和多层芯片堆叠方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD