申请/专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

申请日：2020-05-11

公开（公告）日：2020-11-20

公开（公告）号：CN211980617U

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.20#授权

摘要：本实用新型公开了一种光电集成器件，包括半导体基底，在所述半导体基底中至少包括一光电器件；覆盖所述半导体基底的第一表面的第一介电层；覆盖所述第一介电层的绝缘层；位于所述绝缘层中的第一开口，所述第一开口裸露所述光电器件区域上方的所述第一介电层；覆盖所述第一介电层的第二介电层，其中，所述第一介电层和所述第二介电层为抗反射层。本实用新型提供的光电集成器件使得光线只通过所述抗反射层即可进入所述光电器件，不仅可以获得优良的光学特性，还减小了制造成本。

主权项：1.一种光电集成器件，其特征在于，包括：半导体基底，在所述半导体基底中至少包括一光电器件；覆盖所述半导体基底的第一表面的第一介电层；覆盖所述第一介电层的绝缘层；位于所述绝缘层中的第一开口，所述第一开口裸露所述光电器件区域上方的所述第一介电层；覆盖所述第一介电层的第二介电层，其中，所述第一介电层和所述第二介电层为抗反射层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 光电集成器件

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