申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司

申请日：2020-07-15

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111989779A

主分类号：H01L29/778(20060101)

分类号：H01L29/778(20060101);H01L29/861(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/30(20060101);H01L29/41(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/45(20060101);H01L21/329(20060101);H01L21/335(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：提供一种半导体结构和其制造方法所述半导体结构包含：衬底；第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙，所述第二氮化物半导体层形成第一凹部和第二凹部；以及电极，其安置在所述第二氮化物半导体层上且包括元素，其中，所述电极安置在所述第一凹部和所述第二凹部中。

主权项：1.一种半导体结构1，其包括：衬底10；第一氮化物半导体层12，其安置在所述衬底10上；第二氮化物半导体层13，其安置在所述第一氮化物半导体层12上且具有大于所述第一氮化物半导体层12的带隙的带隙，所述第二氮化物半导体层13形成第一凹部131和第二凹部132；以及电极14，其安置在所述第二氮化物半导体层13上且包括元素；其中所述电极14安置在所述第一凹部131和所述第二凹部132中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 半导体结构和其制造方法

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