申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2019-07-02

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112185929A

主分类号：H01L23/525(20060101)

分类号：H01L23/525(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制造方法、存储器，半导体结构包括：衬底；下电极层，所述下电极层位于部分所述衬底上；绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述下电极层上，且所述绝缘介质层暴露出部分下电极层表面；上电极层，所述上电极层位于所述绝缘介质层上，所述上电极层、所述绝缘介质层以及所述下电极层构成反熔丝电容。本发明有利于改善半导体结构的电学性能。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；下电极层，所述下电极层位于部分所述衬底上；绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述下电极层上，且所述绝缘介质层暴露出部分下电极层表面；上电极层，所述上电极层位于所述绝缘介质层上，所述上电极层、所述绝缘介质层以及所述下电极层构成反熔丝电容。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制造方法、存储器

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