申请/专利权人：株洲中车时代半导体有限公司

申请日：2020-08-25

公开（公告）日：2021-01-08

公开（公告）号：CN112201688A

主分类号：H01L29/739(20060101)

分类号：H01L29/739(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.07#授权;2021.01.26#实质审查的生效;2021.01.08#公开

摘要：本公开提供一种逆导型IGBT芯片，包括第一导电类型衬底；若干间隔设置于所述衬底下方且与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区位于以芯片中心为中心的第一预设范围外；在所述第一预设范围外且于第二预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第一预设阈值；在所述第二预设范围外且于第三预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第二预设阈值；在所述第三预设范围外且于所述芯片边缘范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第三预设阈值。不仅解决了逆导型IGBT芯片的初次和二次电压折回现象，还降低了芯片的终端区的注入效率，从而降低了器件的高温漏电流。

主权项：1.一种逆导型IGBT芯片，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中，所述漂移层包括元胞区和位于所述元胞区周围的终端区；位于所述衬底下方的第二导电类型集电区；若干间隔设置于所述衬底下方且与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区位于以芯片中心为中心的第一预设范围外；在所述第一预设范围外且于以所述芯片中心为中心的第二预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第一预设阈值；在所述第二预设范围外且于以所述芯片中心为中心的第三预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第二预设阈值；在所述第三预设范围外且于所述芯片边缘范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第三预设阈值；所述第一预设阈值小于所述第二预设阈值，所述第二预设阈值小于所述第三预设阈值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株洲中车时代半导体有限公司 逆导型IGBT芯片

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