申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2019-08-05

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112385015A

主分类号：H01L21/033(20060101)

分类号：H01L21/033(20060101);H01L21/311(20060101);H01L21/3213(20060101);G03F7/20(20060101)

优先权：["20180810 US 62/717,089","20180926 US 62/736,529","20190509 US 16/407,272"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.08.31#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：提供了一种方法，其中使用包含钌的硬掩膜材料。钌提供了一种硬掩膜材料，该材料对典型地用于处理衬底图案化层的许多等离子体化学过程具有抗蚀刻性，这些层包括例如像氮化物、氧化物、抗反射涂层ARC材料等的层。此外，可以通过不去除氮化物、氧化物、ARC材料等的等离子体化学过程去除钌。例如，可以通过使用氧O2等离子体容易地去除钌。此外，钌可以沉积为在氧化物和氮化物上的10nm级平坦薄膜，并且可以沉积为平坦层。

主权项：1.一种蚀刻衬底的方法，该方法包括：在该衬底上提供目标蚀刻层；提供覆盖在该目标蚀刻层上的图案化层；在该目标蚀刻层与该图案化层之间提供包含钌的硬掩膜层；将该图案化层的图案蚀刻到该硬掩膜层中以形成图案化的硬掩膜层；以及在使用该图案化的硬掩膜层作为用于蚀刻该目标蚀刻层的掩膜层时蚀刻该目标蚀刻层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 钌硬掩膜方法

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