申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-05-07

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397452A

主分类号：H01L21/8238(20060101)

分类号：H01L21/8238(20060101);H01L27/092(20060101)

优先权：["20190816 US 16/542,578"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.01.24#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.02.23#公开

摘要：一种半导体装置，包括一鳍部、一隔离区、一栅极结构、一栅极间隔件及一外延区。鳍部位于一基底上方，包括第一端及第二端，其中鳍部的第一端具有凸形轮廓；一隔离区与鳍部相邻；一栅极结构沿着鳍部的侧壁，且位于鳍部的上表面上；一栅极间隔件侧向相邻于栅极结构；一外延区与鳍部的第一端相邻。

主权项：1.一种半导体装置，包括：一鳍部，位于一基底上方，该鳍部包括一第一端及一第二端，其中该鳍部的该第一端具有凸形轮廓；一隔离区，与该鳍部相邻；一栅极结构，沿着该鳍部的侧壁，且位于该鳍部的上表面上；一栅极间隔件，侧向相邻于该栅极结构；以及一外延区，与该鳍部的第一端相邻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD