申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2020-08-04

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112391605A

主分类号：C23C16/30(20060101)

分类号：C23C16/30(20060101);C23C16/455(20060101);C23C16/513(20060101)

优先权：["20190815 JP 2019-149132"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.02.25#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明涉及成膜方法。提供一种技术，其能够将硅氧化膜埋入于凹部而不容易因随后的蚀刻工序出现接缝。基于本公开的一个方式的成膜方法具有如下步骤：使氨基硅烷气体吸附于表面形成有凹部的基板上的步骤；向上述基板供给氧化气体，对吸附于上述基板上的上述氨基硅烷气体进行氧化，从而使硅氧化膜堆积于上述基板上的步骤；和，利用等离子体将包含氮气及氢气的混合气体活化后供给至上述硅氧化膜，从而进行上述硅氧化膜的改性处理的步骤。

主权项：1.一种成膜方法，所述成膜方法具有如下步骤：使氨基硅烷气体吸附于表面形成有凹部的基板上的步骤；向所述基板供给氧化气体，对吸附于所述基板上的所述氨基硅烷气体进行氧化，从而使硅氧化膜堆积于所述基板上的步骤；和，利用等离子体将包含氮气及氢气的混合气体活化后供给至所述硅氧化膜，从而进行所述硅氧化膜的改性处理的步骤。

全文数据：

权利要求：

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