申请/专利权人：光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

申请日：2020-11-18

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397581A

主分类号：H01L29/739(20060101)

分类号：H01L29/739(20060101);H01L21/331(20060101);H01L29/15(20060101);H01L29/10(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.06.10#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明提供了一种隧道场效应晶体管及其制作方法。所述隧道场效应晶体管包括：衬底表面垂直设置的源极和漏极，以及源极和漏极之间导电沟道区；导电沟道区外围由内向外环绕设置栅氧化层和栅极；所述导电沟道区的材料为窄带超晶格材料。

主权项：1.一种隧道场效应晶体管，包括：衬底表面垂直设置的源极和漏极，以及源极和漏极之间导电沟道区；导电沟道区外围由内向外环绕设置栅介质层和栅极；其特征在于，所述导电沟道区的材料为窄带超晶格材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 隧道场效应晶体管及其制作方法

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