申请/专利权人：深圳第三代半导体研究院

申请日：2019-12-13

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN110957407B

主分类号：H01L33/22(20100101)

分类号：H01L33/22(20100101);H01L33/00(20100101);H01L21/78(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.09#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.03#公开

摘要：本申请公开了一种衬底、LED及其制造方法。该衬底包括：衬底主体，衬底主体的一侧主表面上设置有彼此间隔排布的多个开孔；多个转移支撑结构，多个转移支撑结构分别对应地设置于开孔内，且彼此间隔排布，其中每个转移支撑结构分别包括填充于开孔内部的支撑柱以及与支撑柱连接且突出于衬底主体的主表面的支撑头，转移支撑结构针对特定蚀刻剂的耐受度大于衬底主体。通过上述方式，本申请提供的衬底能够在后续生成LED单元后通过对衬底主体进行蚀刻，而利用转移支撑结构相对于衬底主体悬空支撑LED单元，减小LED单元与衬底之间的附着力，降低分离和转移难度。进一步，上述方式可以提高LED单元在衬底上的排布密度，减少LED芯片面积的损失，降低LED的制造成本。

主权项：1.一种衬底，其特征在于，所述衬底包括：衬底主体，所述衬底主体的一侧主表面上设置有彼此间隔排布的多个开孔；多个转移支撑结构，所述多个转移支撑结构分别对应地设置于所述开孔内，且彼此间隔排布，其中每个所述转移支撑结构分别包括填充于所述开孔内部的支撑柱以及与所述支撑柱连接且突出于所述衬底主体的所述主表面的支撑头，其中所述转移支撑结构针对特定蚀刻剂的耐受度大于所述衬底主体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳第三代半导体研究院 衬底、LED及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD