申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-10-10

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112652606A

主分类号：H01L23/498(20060101)

分类号：H01L23/498(20060101);H01L23/24(20060101);H01L25/18(20060101);H01L23/488(20060101)

优先权：["20191011 KR 10-2019-0125852"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.09.23#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：半导体封装包括基底基板，该基底基板具有第一半导体基板和覆盖第一半导体基板的顶侧的第一保护层。第一圆角层填充第一保护层和第一半导体芯片之间的空间。基底基板的第一侧表面在第一方向上延伸，第二侧表面和第三侧表面在第二方向上延伸。基底基板包括两个拐角区域和在拐角区域之间的侧面区域。侧面区域中的第一保护层包括与第一半导体芯片重叠的第一侧面沟槽。第一圆角层的一部分填充第一侧面沟槽。

主权项：1.一种半导体封装，包括：基底基板，包括第一半导体基板和至少部分地覆盖所述第一半导体基板的顶侧的第一保护层；第一半导体芯片，设置在所述第一保护层上；以及第一圆角层，至少部分地填充所述第一保护层和所述第一半导体芯片之间的空间，其中，所述基底基板还包括在第一方向上延伸的第一侧表面，以及分别从所述第一侧表面的端部在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二侧表面和第三侧表面，其中，所述基底基板还包括：第一拐角区域，其包括由所述第一侧表面和所述第二侧表面形成的第一拐角；第二拐角区域，由所述第一侧表面和所述第三侧表面形成；以及在所述第一拐角区域和所述第二拐角区域之间的侧面区域，其中，在所述侧面区域中的所述第一保护层包括至少部分地与所述第一半导体芯片重叠的第一侧面沟槽，以及其中所述第一圆角层的第一部分至少部分地填充所述第一侧面沟槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括圆角层的半导体封装

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