申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2019-09-30

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN110658696B

主分类号：G03F7/20(20060101)

分类号：G03F7/20(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2020.02.04#实质审查的生效;2020.01.07#公开

摘要：本发明公开了一种断线热点的光刻友善性设计检查方法，包括：步骤一、进行仿真形成曝光仿真轮廓图形；步骤二、对设计图形按设计线宽进行分类；步骤三、确定各类轮廓图形的线尾过滤区域宽度参量值：步骤31、在轮廓图形的尾部确定多个依次增加的截取横坐标；在各截取横坐标处截取轮廓图形的宽度；步骤32、统计出各类轮廓图形在各截取位置处的宽度最小值并作为截边宽度最小值，作出截边宽度最小值随截取横坐标变化的趋势图；步骤33、从趋势图确定拐点位置对应的横坐标并作为线尾过滤区域宽度参量值；步骤四、按照线尾过滤区域宽度参量值确定线尾过滤区的大小，进行光刻友善性设计检查。本发明能在保证真正断线热点不漏报的前提下减少热点数量，从而提高工作效率。

主权项：1.一种断线热点的光刻友善性设计检查方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、对原始设计版图进行光刻模拟仿真并形成曝光仿真图形，从所述曝光仿真图形产生用于断线热点检查的轮廓图形；步骤二、将所述原始设计版图对应的设计图形按设计线宽进行分类，每一类所述设计图形都包括多个所述轮廓图形；步骤三、按照所述设计图形的分类确定各类所述设计图形对应的所述轮廓图形的线尾过滤区域宽度参量值，包括如下分步骤：步骤31、令所述设计图形的长度方向为横向，所述设计图形的宽度为纵向，所述设计图形的长度方向的尾部对应的横坐标为零，初始横坐标为大于等于零的横坐标，从所述初始横坐标开始，确定多个截取横坐标，各所述截取横坐标的值依次增加；在各所述截取横坐标处对各所述设计图形对应的所述轮廓图形进行截取并读取各所述截取横坐标处的所述轮廓图形在纵向上的宽度；步骤32、统计出各类所述设计图形对应的所述轮廓图形在各所述截取位置处的宽度最小值并作为截边宽度最小值，作出所述截边宽度最小值随所述截取横坐标变化的趋势图；步骤33、从所述趋势图确定拐点位置对应的横坐标并根据所述拐点位置的横坐标来定义所述线尾过滤区域宽度参量值；步骤四、按照所述线尾过滤区域宽度参量值确定线尾过滤区的大小，之后进行光刻友善性设计检查并检查出断线热点，检查区域排除了所述线尾过滤区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 断线热点的光刻友善性设计检查方法

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