申请/专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社

申请日：2019-10-10

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN112930423A

主分类号：C30B29/38(20060101)

分类号：C30B29/38(20060101);C23C14/14(20060101);C23C16/01(20060101);C23C16/34(20060101);C30B25/20(20060101);H01L21/365(20060101)

优先权：["20181026 JP 2018-201558","20190219 JP 2019-027633"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：本发明具有如下工序：准备基底基板的工序，所述基底基板由III族氮化物半导体的单晶形成；生长阻碍层形成工序，遍及基底基板的主面整体地在气相生长装置内直接形成生长阻碍层；第一工序，保持将形成有生长阻碍层的基底基板配置在气相生长装置内的状态，使用该气相生长装置，使具有露出0001面的顶面的III族氮化物半导体的单晶在基底基板的主面上通过生长阻碍层的开口部进行外延生长，以生长阻碍层为起因，使顶面产生由除了0001面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使该倾斜界面随着向基底基板的主面的上方去而缓缓扩大，使0001面从顶面消失，从而使表面仅由倾斜界面构成的第一层生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长。

主权项：1.一种氮化物半导体基板的制造方法，其具有如下工序：准备基底基板的工序，所述基底基板由III族氮化物半导体的单晶形成，具有经镜面化的主面，相对于所述主面最近的低指数晶面为0001面；生长阻碍层形成工序，在气相生长装置内直接形成生长阻碍层，所述生长阻碍层具有遍及所述基底基板的所述主面整体地随机分散的生长阻碍部；第一工序，保持将形成有所述生长阻碍层的所述基底基板配置在所述气相生长装置内的状态，使用该气相生长装置，使具有露出0001面的顶面的III族氮化物半导体的单晶在所述基底基板的所述主面上通过所述生长阻碍层的开口部进行外延生长，以所述生长阻碍层为起因，使所述顶面产生由除了0001面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使该倾斜界面随着向所述基底基板的所述主面的上方去而缓缓扩大，使0001面从所述顶面消失，从而使表面仅由所述倾斜界面构成的第一层生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在所述第一层上外延生长，使所述倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体

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