申请/专利权人：TCL集团股份有限公司

申请日：2019-12-31

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113130835A

主分类号：H01L51/56(20060101)

分类号：H01L51/56(20060101);H01L51/50(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.06.21#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，方法包括：提供阴极；在阴极上形成量子点发光层；在量子点发光层远离阴极的一侧形成第一过渡金属氧化物层；在第一过渡金属氧化物层远离量子点发光层的一侧形成石墨烯层；采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离第一过渡金属氧化物层的一侧形成第二过渡金属氧化物层；在第二过渡金属氧化物层远离石墨烯层的一侧形成阳极，得到量子点发光二极管。本发明通过增设第一过渡金属氧化物层、石墨烯层和第二过渡金属氧化物层的夹心结构作为空穴注入层来提高空穴的注入能力，在量子点发光二极管上实现电子与空穴的主动平衡，提升电子空穴对的复合效率，使器件的发光效率得到提高。

主权项：1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供阴极；在所述阴极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层远离所述阴极的一侧形成第一过渡金属氧化物层；在所述第一过渡金属氧化物层远离所述量子点发光层的一侧形成石墨烯层；采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离所述第一过渡金属氧化物层的一侧形成第二过渡金属氧化物层；在所述第二过渡金属氧化物层远离所述石墨烯层的一侧形成阳极，以得到所述量子点发光二极管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TCL集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

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