申请/专利权人：东北大学秦皇岛分校

申请日：2021-04-28

公开（公告）日：2021-09-07

公开（公告）号：CN113363332A

主分类号：H01L31/0216(20140101)

分类号：H01L31/0216(20140101);H01L31/032(20060101);H01L31/18(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.15#授权;2021.09.24#实质审查的生效;2021.09.07#公开

摘要：一种过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜及其制备方法，本发明采用溶胶凝胶法结合旋涂法，采用以Ni为代表的过渡族元素对CZTS进行单掺杂，制备高质量、高性能的过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜。本发明通过改进工艺参数，调控以Ni为代表的过渡族元素掺杂浓度可实现CZTS薄膜能带结构可控、光电综合性能可控。在保证了薄膜高致密度、高均匀度的基础上，实现了低成本制备能带结构可控、性能可控的CZTS薄膜。

主权项：1.一种过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜，其特征在于，其为以乙酸铜、乙酸锌、四氯化锡、硫脲为CZTS的制备原料，以过渡族元素的乙酸盐为掺杂源制备得到的薄膜，所述的过渡族元素包括Ni、Fe、Ti、Mn、Cr；所述薄膜的主晶相化学成分为Cu2Zn1-xNxSnS4，N代表掺杂元素Ni、Fe、Ti、Mn或Cr，其中离子个数比为Cu:Zn+N:Sn:S＝2:1:1:4，表示一个CZTS晶胞中掺杂的过渡族元素的离子个数与锌离子个数比。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东北大学秦皇岛分校 一种过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜及其制备方法

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