申请/专利权人：江苏应能微电子有限公司

申请日：2021-09-08

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113497032A

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.01.25#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明提供一种沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上生长有N型外延；在N型外延上部左侧制作有N型阱区，在N型外延上部右侧制作有与N型阱区相切的P型阱区；在N型阱区表面之下内部左侧制作有第一N+区，右侧制作有第一P+区；在P型阱区表面之下内部左侧制作有第二N+区，右侧制作有第二P+区；在N型阱区和P型阱区交界处制作有第三N+区；在第一P+区内刻蚀形成若干第一沟槽，通过原位掺杂P型多晶硅填充所述第一沟槽形成第三P+区；在第二N+区内刻蚀形成若干第二沟槽，通过原位掺杂N型多晶硅填充所述第二沟槽形成第四N+区；本发明可提高横向SCR器件的电流能力与鲁棒性。

主权项：1.一种沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，包括：P型衬底1，在P型衬底1上生长有N型外延2；在N型外延2上部左侧制作有N型阱区3，在N型外延2上部右侧制作有与N型阱区3相切的P型阱区4；在N型阱区3表面之下内部左侧制作有第一N+区501，右侧制作有与第一N+区501右侧相切的第一P+区601；在P型阱区4表面之下内部左侧制作有第二N+区502，右侧制作有与第二N+区502右侧相切的第二P+区602；在N型阱区3和P型阱区4交界处制作有第三N+区503，用于形成触发区；其特征在于，在第一P+区601内刻蚀形成若干第一沟槽701，通过原位掺杂P型多晶硅填充所述第一沟槽701形成第三P+区；第三P+区的掺杂浓度与第一P+区601在同一数量级；N型阱区3内的第一P+区601、第三P+区和第一N+区501通过金属线相连作为器件阳极A；在第二N+区502内刻蚀形成若干第二沟槽702，通过原位掺杂N型多晶硅填充所述第二沟槽702形成第四N+区；第四N+区的掺杂浓度与第二N+区502在同一数量级；P型阱区4内的第二N+区502、第四N+区和第二P+区602通过金属线相连作为器件阴极K。

全文数据：

权利要求：

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