申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2021-09-14

公开（公告）日：2021-12-17

公开（公告）号：CN113809172A

主分类号：H01L29/778(20060101)

分类号：H01L29/778(20060101);H01L29/15(20060101);H01L29/207(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.01.04#实质审查的生效;2021.12.17#公开

摘要：本发明公开了一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构，属于半导体制造领域。该结构包括Si衬底和在Si衬底上从下至上依次生长的缓冲层、InXGa1‑XAs沟道层、InXAl1‑XAs空间隔离层、平面掺杂层、InXAl1‑XAs势垒层、InXGa1‑XAs盖帽层；缓冲层包括从下至上依次形成采用低温生长的第一GaAs缓冲层、采用中温生长的InXGa1‑XAsGaAs超晶格缓冲层、采用高温生长的第二GaAs缓冲层、采用低温生长的InXAl1‑XAs组分渐变缓冲层。本发明可以大幅降低高速HEMT器件的成本，还可以利用硅基材料高集成度的特性实现化合物半导体器件与集成电路的结合。

主权项：1.一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构，其特征在于，包括Si衬底和在Si衬底上从下至上依次生长的缓冲层、InXGa1-XAs沟道层、InXAl1-XAs空间隔离层、平面掺杂层、InXAl1-XAs势垒层和InXGa1-XAs盖帽层；所述缓冲层包括从下至上依次形成采用低温生长的第一GaAs缓冲层、采用中温生长的InXGa1-XAsGaAs超晶格缓冲层、采用高温生长的第二GaAs缓冲层和采用低温生长的InXAl1-XAs组分渐变缓冲层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构

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