申请/专利权人：兰州交通大学

申请日：2023-05-26

公开（公告）日：2023-09-08

公开（公告）号：CN219658716U

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/06;H01L29/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.08#授权

摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体提供一种具有负电容效应的InGaAsInAlAs无掺杂隧穿晶体管，包括：源极、漏极、栅极、栅介质层、源区、漏区、源边沟道区、漏边沟道区和铁电层；采用双源漏电极结构，从而使得源区空穴分布更加均匀；并在栅极下添加铁电层，通过负电容的栅压放大效应增强隧穿结中的电场，增强的电场可以提高沟道中的电子隧穿几率，本实用新型有效解决了传统硅基TFET具有较低的开态电流，而p‑n‑i‑nTFET制造工艺难度较大的问题，达到了提高TFET开态电流且制造工艺简单的目的。

主权项：1.一种具有负电容效应的InGaAsInAlAs无掺杂隧穿晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极、栅极、栅介质层、源区、漏区、源边沟道区、漏边沟道区和铁电层；所述源极为“[”形，设置于所述晶体管一侧，所述漏极设置于所述晶体管内与所述源极相对的一侧，所述漏极为“]”形，所述栅极设置在所述晶体管另外两侧，且不与所述源极、所述漏极相接触，所述栅极上方设置有铁电层，所述铁电层与所述栅极长度相同；所述栅介质层分为上下两组，所述栅介质层覆盖在所述栅极和所述铁电层上方和侧方，所述栅介质层与所述源极、所述漏极相接触，所述栅介质层包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层一侧与所述源极相接触，另一侧外延至所述铁电层上方，所述第二介质层一侧与所述漏极相接触，另一侧外延至所述铁电层上方，且与所述第一介质层相接触，所述第一介质层与所述第二介质层的上下表面相齐平；所述源区、所述源边沟道区、所述漏边沟道区和所述漏区自左向右分别设置于两组栅介质层之间，所述源区和所述源边沟道区上下表面与所述第一介质层相接触，所述漏区上下表面与所述第二介质层相接触，所述漏边沟道区上下表面与所述第一介质层、所述第二介质层相接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 兰州交通大学 一种具有负电容效应的InGaAs/InAlAs无掺杂隧穿晶体管

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