申请/专利权人：浙江光特科技有限公司

申请日：2021-12-13

公开（公告）日：2022-03-25

公开（公告）号：CN114242580A

主分类号：H01L21/306(20060101)

分类号：H01L21/306(20060101);H01L31/18(20060101);H01L21/67(20060101);H01L31/107(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.04.12#实质审查的生效;2022.03.25#公开

摘要：本发明公开了一种便于监控刻蚀过程的APD。本发明公开了一种监控APD外延结构刻蚀进度的方法，包括如下步骤：将上述便于监控刻蚀过程的APD进行光刻形成掩膜图形，然后浸泡在刻蚀液中进行刻蚀，接着观察APD表面，根据APD表面情况判断刻蚀进度，具体如下：当观察到APD表面出现“毛玻璃”现象时，则表明刻蚀液刻蚀到InGaAsP材料与InGaAsInAlAs材料的界面处；当观察到APD表面“毛玻璃”现象开始褪去时，则表明刻蚀液开始刻蚀到InGaAsInAlAs材料与InP材料界面处；当观察到APD表面重新变得光滑均匀时，则表明InGaAsInAlAs材料已经完全被刻蚀完毕。

主权项：1.一种便于监控刻蚀过程的APD，以InP材料为衬底，InP材料表面覆盖有InGaAsInAlAs材料，其特征在于，InGaAsInAlAs材料表面覆盖有InGaAsP材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江光特科技有限公司 一种监控APD外延材料InGaAs/InAlAs刻蚀过程的方法

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