申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-05-26

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN115411034A

主分类号：H01L27/108

分类号：H01L27/108;H01L23/528;H01L21/8242

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要：本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法，用于解决导电物在绝缘层上容易发生扩散，以形成对电路器件的泄露路径，降低连接柱的隔离性能的问题。该半导体结构，膜层结构背离基底的一侧设置有布线层，基底背离膜层结构的一侧设置延伸至布线层的连接孔，连接孔的孔壁上设置有绝缘层；绝缘层上设置有阻挡环，阻挡环的中心线线连接孔的中心线共线设置，阻挡环的扩散性小于布线层的扩散性；连接孔内设置有与布线层接合的连接柱。通过设置阻挡环，在沿连接孔蚀刻部分布线层之后，阻挡环可以阻止因蚀刻而溅射形成的导电物向外扩散，进而避免形成电路器件的泄露路径，提高了连接柱的隔离性能。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底以及设置在所述基底上的膜层结构，所述膜层结构远离所述基底的一侧设置有布线层；所述基底背离所述膜层结构的一侧设置延伸至所述布线层的连接孔，所述连接孔的孔壁上设置有绝缘层；所述绝缘层上设置有阻挡环，所述阻挡环的一端与所述布线层接合，并且所述阻挡环的中心线与所述连接孔的中心线共线设置，所述阻挡环的扩散性小于所述布线层的扩散性；所述连接孔内设置有连接柱，所述连接柱与所述布线层接合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及半导体结构制作方法

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