申请/专利权人：广东汇芯半导体有限公司

申请日：2021-08-06

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425071A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/739;H01L25/07;H01L21/50

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明涉及一种半导体电路和半导体电路的制造方法，包括散热基板、设置在在散热基板上的电路布线层，电路布线层设置有多个连接焊盘，以及多个电子元件，配置于电路布线层的焊盘上，多个电子元件包括功率器件和驱动芯片，其中功率器件包括IGBT，IGBT的表面设置有两个或者两个以上的栅极键合区，还包括密封层，密封层至少包裹设置电路元件的散热基板的一面，引脚的一端从密封层露出。通过在IGBT的表面设置两个或者两个以上的栅极键合区，针对复杂的半导体电路，其内部如存在多个IGBT并联情况时，可以减少电路层的走线，而且可以减少栅极控制走线的干扰，增强MIPS的工作可靠性。

主权项：1.一种半导体电路，其特征在于，包括：散热基板；电路布线层，所述电路布线层设置在所述散热基板上，所述电路布线层设置有多个连接焊盘；多个电子元件，配置于所述电路布线层的焊盘上，所述多个电子元件包括功率器件和驱动芯片；其中功率器件包括IGBT，所述IGBT的表面设置有两个或者两个以上的栅极键合区；多个引脚，所述多个引脚设置在所述散热基板的至少一侧；密封层，所述密封层至少包裹设置所述电路元件的散热基板的一面，所述引脚的一端从所述密封层露出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东汇芯半导体有限公司 半导体电路和半导体电路的制造方法

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