申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2022-12-15

公开（公告）日：2023-04-14

公开（公告）号：CN115966556A

主分类号：H01L23/58

分类号：H01L23/58;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.02#实质审查的生效;2023.04.14#公开

摘要：本发明提供一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构，包括：差分MZM芯片和基板；差分MZM芯片的电极侧朝下，正对基板；基板的上表面铺设有金属，金属的面积超出预设值；基板的上表面通过倒装焊的焊点与差分MZM芯片电极侧的地电极互连，基板上表面金属形成有效的交流信号地结构，使得差分MZM芯片电极与上表面金属之间形成等效的微带线结构；当差分MZM芯片工作时，差分MZM芯片电极侧的正电极产生微带线效应，使得差分MZM芯片的性能得到优化。本发明的基板铺地倒装焊方案综合考虑了倒装焊工艺与芯片之间的寄生，并利用这种寄生，使MZM的电极形成微带线效应，从而达到降低微波损耗、提高阻抗匹配和速度匹配的效果。

主权项：1.一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构，其特征在于，包括：差分马赫曾德调制器MZM芯片和基板；所述差分MZM芯片的电极侧朝下，正对基板；所述基板的上表面铺设有金属，所述金属的面积超出预设值；所述基板的上表面通过倒装焊的焊点与差分MZM芯片电极侧的地电极互连，基板上表面金属形成有效的交流信号地结构，使得差分MZM芯片电极与上表面金属之间形成等效的微带线结构；当所述差分MZM芯片工作时，差分MZM芯片电极侧的正电极产生微带线效应，使得差分MZM芯片的性能得到优化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种差分MZM芯片的倒装焊封装结构

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