申请/专利权人：青岛佳恩半导体科技有限公司

申请日：2022-11-08

公开（公告）日：2023-04-25

公开（公告）号：CN116013992A

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.12#实质审查的生效;2023.04.25#公开

摘要：本发明提供了一种FRD器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域，该一种FRD器件具有正面金属区和背面金属区，包括衬底，所述背面金属区位于所述衬底的下表面，所述衬底上依次设有外延层和漂移区，所述漂移区内设有P型区，并沿所述P型区形成对称的分布有P+型区，每个所述P+型区与所述P型区上均设有动态截止层，所述动态截止层和所述P型区上设有钝化层，且所述动态截止层整体嵌入所述钝化层内，所述钝化层位于所述正面金属区的上表面。通过设置的动态截止层，在不降低P型区浓度的情况下，避免P型区增大与正面金属区的接触面积，进一步降低FRD器件的导通损耗，从而保障FRD器件的空穴注入效率。

主权项：1.一种FRD器件，具有正面金属区和背面金属区，其特征在于，包括衬底，所述背面金属区位于所述衬底的下表面，所述衬底上依次设有外延层和漂移区，所述漂移区内设有P型区，并沿所述P型区形成对称的分布有P+型区，每个所述P+型区与所述P型区上均设有动态截止层，所述动态截止层和所述P型区上设有钝化层，且所述动态截止层整体嵌入所述钝化层内，所述钝化层位于所述正面金属区的上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 青岛佳恩半导体科技有限公司 一种FRD器件及其制备方法

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