申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2018-09-28

公开（公告）日：2023-05-09

公开（公告）号：CN116095518A

主分类号：H04N25/00

分类号：H04N25/00;H04N25/79;H04N23/50;H04N25/44

优先权：["20171031 US 62/579,474","20180322 US 15/928,748"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.26#实质审查的生效;2023.05.09#公开

摘要：本发明实施例涉及一种背照式BSI图像传感器，其包含：衬底，其包含正面及与所述正面对置的背面；多个像素传感器，其布置成阵列；隔离栅格，其安置于所述衬底中且使所述多个像素传感器彼此分离；及反射栅格，其在所述衬底的所述背面上安置于所述隔离栅格上方。所述反射栅格的深度小于所述隔离栅格的深度。

主权项：1.一种背照式BSI图像传感器，其包括：衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；多个像素传感器，其布置成阵列；多个彩色滤光器，其分别安置于所述多个像素传感器上；隔离栅格，其安置于所述衬底中且使所述多个像素传感器彼此分离；反射栅格，其在所述衬底的所述背面上安置于所述隔离栅格上方，且所述反射栅格的深度小于所述隔离栅格的深度；及低n栅格，其安置于在所述多个彩色滤光器之间并直接接触所述多个彩色滤光器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 背照式BSI图像传感器

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