申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2021-12-08

公开（公告）日：2022-03-08

公开（公告）号：CN114156296A

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.03.25#实质审查的生效;2022.03.08#公开

摘要：本发明涉及一种BSI图像传感器及其制作方法。所述制作方法先通过PVD工艺沉积一氮化钛层，以提供粗糙度极低的钨生长面，再采用CVD工艺沉积钨薄膜，并刻蚀所述钨薄膜和氮化钛层以形成钨光栅，由于钨生长面的平整性好，所述钨薄膜中钨晶粒较小，钨薄膜的均匀性和平整性较好，并且可以减少刻蚀过程中发生晶间腐蚀而导致钨缺失的风险，从而可以提高钨光栅的平整性，优化钨光栅形貌，有助于提升BSI图像传感器的光学性能。

主权项：1.一种BSI图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供一像素基底，所述像素基底具有朝向相反的正面侧和背面侧，且包括在所述正面侧形成的互连导电结构和在所述背面侧形成的绝缘层，所述像素基底包括多个感光像素，所述感光像素被配置为感测从所述背面侧进入所述像素基底内的辐射；在所述像素基底的背面侧采用PVD工艺沉积一氮化钛层，所述氮化钛层覆盖所述绝缘层；采用CVD工艺在所述氮化钛层的表面沉积一钨薄膜；以及，刻蚀所述钨薄膜和所述氮化钛层，以在所述像素基底的背面侧形成钨光栅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 BSI图像传感器及其制作方法

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