申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2022-05-07

公开（公告）日：2022-09-09

公开（公告）号：CN115036204A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.09.30#实质审查的生效;2022.09.09#公开

摘要：本发明提供一种通过降低晶圆翘曲度提高BSI工艺稳定性的方法；利用沉积机台在衬底上生成多层薄膜层，使得衬底的晶圆翘曲度符合光刻机台的预设范围。本发明通过调整键合氧化层和硬掩膜层来增加薄膜应力，从而有效改善晶圆翘曲度。本发明不涉及设备的更换和生产线更新，而是仅在原有设备和工艺基础上优化工艺，提高了BSI工艺窗口，工艺稳定性得到显著提升。

主权项：1.一种通过降低晶圆翘曲度提高BSI工艺稳定性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底、光刻机台和沉积机台；步骤二、利用所述沉积机台在所述衬底上生成多层薄膜层，使得所述衬底的晶圆翘曲度符合所述光刻机台的预设范围。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 通过降低晶圆翘曲度提高BSI工艺稳定性的方法

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