申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日：2023-05-12

公开（公告）日：2023-08-11

公开（公告）号：CN116581135A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.29#实质审查的生效;2023.08.11#公开

摘要：本发明提供一种基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置及方法，该装置主要包括抽气口、反应腔、注液口、排液口和固定吸盘，通过抽气口降低反应腔内部的气压，将固定吸盘吸附在键合晶圆的待腐蚀区，通过注液口将腐蚀液注入反应腔进行腐蚀，再通过排液口将腐蚀液由反应腔排出，再升高反应腔的内部气压，将装置与键合晶圆分离，清洗并吹干即完成晶圆的背部腐蚀。在BSI工艺中，利用本发明对键合晶圆进行背部腐蚀，既保证了逻辑电路区不会受到腐蚀液的严重侵蚀，又保证了实验人员在工作期间不会直接与腐蚀液接触，不会吸入腐蚀液挥发出的气体，从而提高了实验人员自身的安全性。

主权项：1.一种基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置，其特征在于，包括：抽气口、反应腔、注液口、排液口和固定吸盘；所述反应腔的形状为底部开口的圆柱，在开口截面上固定有聚四氟乙烯材质的胶圈；所述抽气口设置在所述反应腔上部，所述抽气口用于连接真空泵，保证所述反应腔的内部气压稳定；所述反应腔的侧面设置有所述注液口，通过所述注液口将腐蚀液注入所述反应腔内；所述反应腔的侧面底部位置设置有所述排液口，通过所述排液口将腐蚀液从所述反应腔中排出；所述固定吸盘采用聚四氟乙烯材料，其固定在所述反应腔的底部开口处。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置及方法

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