申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2023-01-31

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116169122A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/66;G01R31/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本发明公开了一种半导体测试结构及其测试方法。所述半导体测试结构包括：刻蚀区，所述刻蚀区刻蚀形成有测试图案，所述测试图案包括沿第一方向间隔排布的多个子测试图案；其中，多个所述子测试图案的关键尺寸沿所述第一方向逐渐改变，多个所述子测试图案内沉积有填充材料并采用化学机械磨平方式磨平，以用于对所述半导体测试结构的刻蚀及化学机械磨平负载效应进行测试。本发明通过关键尺寸逐渐改变，可以有效测试关键尺寸的不同所导致的刻蚀深度以及凹陷的形貌变化。

主权项：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：刻蚀区，所述刻蚀区刻蚀形成有测试图案，所述测试图案包括沿第一方向间隔排布的多个子测试图案；其中，多个所述子测试图案的关键尺寸沿所述第一方向逐渐改变，多个所述子测试图案内沉积有填充材料并采用化学机械磨平方式磨平，以用于对所述半导体测试结构的刻蚀及化学机械磨平负载效应进行测试。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海积塔半导体有限公司 一种半导体测试结构及其测试方法

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