申请/专利权人：北京寰宇晶科科技有限公司

申请日：2023-07-24

公开（公告）日：2023-08-22

公开（公告）号：CN116619246A

主分类号：B24B53/017

分类号：B24B53/017;B24D18/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.10#授权;2023.09.08#实质审查的生效;2023.08.22#公开

摘要：本发明公开了一种具有金刚石柱状晶簇的CMP抛光垫修整器及其制备方法，其中，修整器包括基板及设置于基板上的第一金刚石层，所述第一金刚石层中具有多个山峰状柱状晶簇；各柱状晶簇具有至少9个柱状晶，各柱状晶的顶部构成切割尖点，各切割尖点距基板表面的垂直距离为15‑100μm，各柱状晶簇中最高切割尖点的高度差为5μm以下。第一金刚石层采用化学气相沉积方法分阶段沉积，第一金刚石层上还可设置第二金刚石层。本发明公开的CMP抛光垫修整器减少了金属污染的同时增强了CMP抛光垫修整器的使用寿命。

主权项：1.一种具有金刚石柱状晶簇的CMP抛光垫修整器，其特征在于，所述修整器包括基板及设置于基板上的第一金刚石层，所述第一金刚石层中具有山峰状柱状晶簇，各柱状晶簇具有至少9个柱状晶，各柱状晶的顶部构成切割尖点，各切割尖点距基板表面的垂直距离为15-100μm，各柱状晶簇中最高切割尖点的高度差为5μm以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京寰宇晶科科技有限公司 一种具有金刚石柱状晶簇的CMP抛光垫修整器及其制备方法

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