申请/专利权人：纳芯微电子(河南)有限公司

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117866536A

主分类号：C09G1/02

分类号：C09G1/02;H01L21/306

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及碳化硅衬底片抛光工艺技术领域，具体为一种用于碳化硅衬底片CMP抛光液的制备方法；所述CMP抛光液由磨料1‑10％、分散稳定剂0.01‑5％、润湿分散剂0.001％‑0.1％、流变助剂0.1‑0.3％、抛光促进剂0.01‑5％、消泡剂0.01‑0.1％、有机溶剂1‑10％、氧化剂0.5‑5％和pH调节剂组成，余量为去离子水，制备过程将原料按顺序依次加入去离子水中，高速搅拌至均匀混合，室温下陈化10～20分钟，重启搅拌至形成均匀流体浆料，即得碳化硅衬底片CMP抛光液；发明提出一种用于碳化硅衬底片CMP抛光液的制备方法，采用稀土氧化物氧化铈磨料、专有的配方和环保原料，解决了上述工艺中出现的，磨料打磨效率低、易造成划痕，料浆的悬浮稳定性和抛光稳定性较弱，配方不够环保等问题。

主权项：1.一种用于碳化硅衬底片CMP抛光液，其特征在于：所述CMP抛光液由磨料1-10％、分散稳定剂0.01-5％、润湿分散剂0.001％-0.1％、流变助剂0.1-0.3％、抛光促进剂0.01-5％、消泡剂0.01-0.1％、有机溶剂1-10％、氧化剂0.5-5％和pH调节剂组成，余量为去离子水；所述磨料为氧化铈金属；所述分散稳定剂为磷酸盐；所述润湿分散剂为炔醇乙氧基化物；所述流变助剂为硅酸镁铝水合物0.1-2％，有机膨润土0.005％-0.05％，碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸氢铵的任意一种0.01-0.1％；所述抛光促进剂为硝酸盐；所述消泡剂为改性的聚醚类消泡剂；所述有机溶剂为多元脂肪醇；所述pH调节剂为有机酸或无机酸；所述氧化剂为无机过氧化物、过硫化物或高锰酸盐。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 纳芯微电子(河南)有限公司 一种用于碳化硅衬底片CMP抛光液的制备方法

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