申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2020-11-27

公开（公告）日：2023-09-19

公开（公告）号：CN112490216B

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.19#授权;2021.03.30#实质审查的生效;2021.03.12#公开

摘要：本发明公开了一种用于表征PN结耗尽区特征的WAT测试结构及方法，所述测试结构的有源区中形成有N阱，所述N阱的周围形成有浅槽隔离结构，在所述N阱的上方形成有多个不同宽度的栅极结构，所述栅极结构均由栅氧化层、栅极导电材料层和侧墙组成，所述有源区内还形成有位于各栅极结构一侧的PLDD区域，所述PLDD区域和所述N阱形成PN结，所述PN结的交界面呈台阶状并在所述栅极结构下方形成耗尽区；所述N阱的一端引出为量测端，另一端引出为接地端，所述PLDD区域引出为偏压端。本发明通过上述新型的WAT测试结构及测试方法可以计算出PN结的耗尽区宽度、不同宽度的夹断电压以及评估不同IMP注入方向和角度下的掺杂情况。

主权项：1.一种用于表征PN结耗尽区特征的WAT测试结构，其特征在于，表征所述PN结耗尽区的所述特征为PLDD区域在栅极结构下方的横向扩散宽度，所述测试结构的有源区中形成有N阱，所述N阱的周围形成有浅槽隔离结构，在所述N阱的上方形成有多个不同宽度的栅极结构，所述栅极结构均由栅氧化层、栅极导电材料层和侧墙组成，所述有源区内还形成有位于各栅极结构一侧的PLDD区域，所述PLDD区域和所述N阱形成PN结，所述PN结的交界面呈台阶状并在所述栅极结构下方形成耗尽区；所述N阱的一端引出为量测端，另一端引出为接地端，所述PLDD区域引出为偏压端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 用于表征PN结耗尽区特征的WAT测试结构和方法

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