申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2016-10-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112614885B

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/78;H01L29/10

优先权：["20151022 DE 102015117994.6"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.06#公开

摘要：本发明涉及具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管。一种功率半导体晶体管包括耦合到第一负载端子的半导体主体，该晶体管进一步具有：半导体漂移区，被包括在所述半导体主体中；第一沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中；第一源区；第一半导体沟道区；第二沟槽，沿所述垂直方向延伸到所述半导体主体中；引导区域，电连接到所述第一负载端子。

主权项：1.功率半导体晶体管，包括：耦合到负载端子的半导体主体；半导体主体中的第一导电类型的漂移区；沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中并且具有第一沟槽侧壁和第二沟槽侧壁以及沟槽底部；沟槽中的电极，与半导体主体电绝缘；第一导电类型的源极区，横向邻近第一沟槽侧壁并且电连接到负载端子；第二导电类型的半导体沟道区，横向邻近第一沟槽侧壁并且将源极区与漂移区分离；和电连接到负载端子的引导区域，其中，引导区域包括第二导电类型的条区段，该条区段在垂直方向上沿第二沟槽侧壁或沿另一沟槽的侧壁延伸到半导体主体中比沟槽底部更深的深度，其中，引导区域包括第二导电类型的平稳区段，该平稳区段与条区段邻接并且在沟槽底部下方朝向半导体沟道区延伸，其中，平稳区段在半导体沟道区下方具有至少一个开口，其中，功率半导体晶体管没有与引导区域接触的源极区，使得引导区域不提供正向方向上的电流路径，所述至少一个开口具有在所述半导体沟道区下方对准的多个开口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管

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