申请/专利权人：普立晶半导体(深圳)有限公司

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855046A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L21/266;H01L21/265

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请公开了一种耗尽型MOSFET器件以及制造方法，包括：磷离子注入，进行退火热处理；光刻胶阻挡，硼离子多次注入，以形成P型阱区；砷离子注入，以形成N形沟道；栅氧化层生长，多晶硅栅极淀积和刻蚀；源极N++注入，进行退火热处理；介质层淀积；接触孔刻蚀，接触孔P++注入，进行退火热处理；金属层淀积及合金化，通过在步骤S2中采用光刻胶阻挡，多次进行硼离子注入，从而替代传统工艺中的高温长时间对硼离子进行扩散推结。这种多次注入的方法使得P型阱区形成更为灵活和可控，有助于位于多晶硅栅极下方的沟道较为平整的形成，成功避免了沟道两侧宽度不一致的问题，提高了器件结构的均匀性，从而有效改善了MOSFET器件的性能和可制程性。

主权项：1.一种耗尽型MOSFET制造方法，其特征在于，包括：步骤S1、选取硅片，将磷离子注入至硅片，并进行退火热处理；步骤S2、在硅片表面涂覆光刻胶并形成掩膜后，进行多次硼离子注入，以形成P型阱区；步骤S3、在P型阱区上方进行砷离子注入，以形成N形沟道；步骤S4、在N形沟道上方进行栅氧化层生长，在栅氧化层上淀积多晶硅栅极，并进行多晶硅栅极的刻蚀，以形成源极区域和漏极区域；步骤S5、将N++注入源极区域，进行退火热处理；步骤S6、在多晶硅栅极上方进行淀积介质层，以使介质层能包裹住多晶硅栅极；步骤S7、在介质层上进行刻蚀，以形成用于暴露源极区域和漏极区域的接触孔，将P++注入至接触孔，进行退火热处理；步骤S8、在介质层上方淀积金属层，并进行合金化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 普立晶半导体(深圳)有限公司 一种耗尽型MOSFET器件以及制造方法

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