申请/专利权人：西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司

申请日：2023-07-05

公开（公告）日：2023-10-31

公开（公告）号：CN116969764A

主分类号：C04B35/565

分类号：C04B35/565;C04B35/622

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.17#实质审查的生效;2023.10.31#公开

摘要：本发明具体涉及一种热模压结合CVI制备DiamondSiC复合材料的方法，解决流延法中由于金刚石粒径太大、流延叠层间存在较大的热阻导致DiamondSiC复合材料热导率较低、孔隙率和空隙尺寸都较高的技术问题。该热模压结合CVI制备DiamondSiC复合材料的方法，包括以下步骤：步骤1：将多种不同粒径的金刚石粉料、聚乙烯醇缩丁醛混合并进行球磨，获得粉料；步骤2：将模具的内表面涂刷脱模剂，然后将步骤1获得的粉料平铺倒入模具内，再将模具加热、保温，最后对模具施加压力，待模具冷却后，脱模制得的金刚石预制体；步骤3：将步骤2制得的金刚石预制体进行固定，并放入化学气相渗透炉进行化学气相渗透沉积SiC基体，获得DiamondSiC复合材料，以提高其热导率。

主权项：1.一种热模压结合CVI制备DiamondSiC复合材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将多种不同粒径的金刚石粉料、聚乙烯醇缩丁醛混合并进行球磨，获得粉料；步骤2：将模具的内表面涂刷脱模剂，然后将步骤1获得的粉料平铺倒入模具内，再将模具加热、保温，最后对模具施加压力，待模具冷却后，脱模制得的金刚石预制体；步骤3：将步骤2制得的金刚石预制体进行固定，并放入化学气相渗透炉进行化学气相渗透沉积SiC基体，获得DiamondSiC复合材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司 一种热模压结合CVI制备Diamond/SiC复合材料的方法

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