申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司

申请日：2020-10-21

公开（公告）日：2024-01-02

公开（公告）号：CN114389151B

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34;H01S5/343

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.02#授权;2022.05.10#实质审查的生效;2022.04.22#公开

摘要：本发明提供一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。该激光器由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、超晶格结构‑第一上限制层、腐蚀终止层、Al0.5In0.5P第二上限制层、上过渡层和帽层。本发明激光器能够有效的抑制电子溢出，缓解有源区应力，提高限制层材料生长质量；同时具有较高光限制因子，提高光增益，达到了降低阈值电流，提高斜率效率的目的，从而使小功率AlGaInP红光激光器具有较低的工作电流，减少了热量的产生。

主权项：1.一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、超晶格结构-第一上限制层、腐蚀终止层、Al0.5In0.5P第二上限制层、上过渡层和帽层；所述超晶格结构-第一上限制层由（Al1-x6Gax6）y4In1-y4PAlx7In1-x7P超晶格结构层和Al0.5In0.5P第一上限制层组成；或者，为Al0.5In0.5P限制层1-（Al1-x6Gax6）y4In1-y4PAlx7In1-x7P超晶格结构层-Al0.5In0.5P限制层2；其中，0.25≤x6≤0.35，0.4≤y4≤0.65；0.25≤x7≤0.45。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD