申请/专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司

申请日：2022-09-22

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790645A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/44

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及一种反极性AlGaInP发光二极管的制备方法。该制备方法在完成P型GaP窗口层外延生长后，先对其刻蚀，再进行P型GaP欧姆接触层的外延生长，另外ODR中介质层采用高低折射率交替生长的材料代替单层介质层。通过采用该方法，不仅可以提高芯片亮度，同时保证芯片具有较强的抗ESD能力和较低的工作电压。

主权项：1.一种高亮度反极性AlGaInP发光二极管的制备方法，所述高亮度反极性AlGaInP发光二极管由下自上依次包括永久衬底欧姆接触电极、永久衬底、反射镜、介质膜和P-GaP欧姆接触层、P-GaP窗口层、P-AlGaInP电流扩展层、P-AlInP限制层、MQW多量子阱层、N-AIInP限制层、N-AlGaInP电流扩展层、N-AlGaInP粗化层、N-GaAs欧姆接触层、N面电极，其特征在于，包括步骤如下：1采用MOCVD方法，在n-GaAs临时衬底上依次生长N-GaAs缓冲层、N-GalnP阻挡层、N-GaAs欧姆接触层、N-AlGaInP粗化层、N-AlGaInP电流扩展层、N-AlInP限制层、MQW多量子阱层、P-AlInP限制层、P-AlGaInP电流扩展层、P-GaP窗口层：2通过光刻、刻蚀工艺，对步骤1生长的外延片上的P-GaP窗口层进行图形化刻蚀；3将步骤2所得晶圆进行二次外延，完成P-GaP欧姆接触层的生长；4在步骤3的外延片上蒸镀多层介质膜，通过光刻、蚀刻、去胶工艺将步骤2中未刻蚀区域上的介质膜去除；5在步骤4的外延片上蒸镀金属镜面，合金形成欧姆接触，蒸镀键合层，形成反射镜；6将步骤5的晶圆与永久衬底进行键合；7去除键合后晶圆的n-GaAs临时衬底和N-GaInP阻挡层；8腐蚀掉电极以外区域的N-GaAs欧姆接触层；9在步骤8保留的N-GaAs欧姆接触层上蒸镀N面电极，并通过合金工艺形成欧姆接触；10使用ICP刻蚀形成切割道，粗化发光区；11将永久衬底减薄，蒸镀欧姆接触金属并合金，形成永久衬底欧姆接触电极；12切割得到发光二极管。

全文数据：

权利要求：

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