申请/专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司

申请日：2022-09-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747718A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种新型AlGaInP四元LED芯片的制备方法，在芯片切割后采用环氧、UV胶等胶水对芯片四周包覆，然后再次切割，形成扩大版的芯片，该制备方法对侧壁的DBR进行了包覆，可以有效改善DBR被腐蚀现象，降低了灯珠失效几率。固化后的材料，和芯片结为一体，相当于增加了芯片面积，降低了小芯片固晶时吸起、搬运的难度。该方法可扩展使用于MiniLED的生产、巨量转移。

主权项：1.一种新型AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：1在外延片的表面蒸镀ITO，所述外延片包括自下到上依次设置的GaAs衬底、缓冲层、DBR、N型层、量子阱和P型层；2光刻制备P面金属电极图形；3利用电子束蒸发法蒸镀P面金属电极；4研磨GaAs衬底；5蒸镀背面金属；6通过切割，获得独立的芯片；7扩张芯片蓝膜尺寸；8对芯片进行翻转，将背面向上；9在芯片蓝膜表面旋涂粘性材料；10通过研磨或水解方式，将芯片底部金属露出；11再次切割，完成所有作业。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种新型AlGaInP四元LED芯片的制备方法

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