申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司

申请日：2022-08-11

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117638646A

主分类号：H01S5/22

分类号：H01S5/22;H01S5/343

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明涉及一种提高限制层载流子浓度的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器领域，激光器由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlInP下限制层、AlGaInP下波导层、GaInP第一量子阱、AlGaInP垒层、GaInP第二量子阱、AlGaInP上波导层、AlInP上限制层一、GaInP腐蚀终止层、AlInP上限制层二、AlGaInP上过渡层、GaAs薄层和GaAs帽层。本发明通过GaAs薄层实现外延生长过程中原位退火，避免生长完成后退火对表面造成的损伤，提高Mg掺杂激活率，载流子浓度提升，有助于后续改善电参数及老化特性。

主权项：1.一种提高限制层载流子浓度的AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Alx1In1-x1P下限制层、Alx2Ga1-x2y1In1-y1P下波导层、Gax3In1-x3P第一量子阱、Alx4Ga1-x4y2In1-y2P垒层、Gax5In1-x5P第二量子阱、Alx6Ga1-x6y3In1-y3P上波导层、Alx7In1-x7P上限制层一、Gax8In1-x8P腐蚀终止层、Alx9In1-x9P上限制层二、Alx10Ga1-x10y4In1-y4P上过渡层、GaAs薄层和GaAs帽层；其中，0.4≤x1≤0.6；0.3≤x2≤0.98，0.4≤y1≤0.6；0.3≤x3≤0.6；0.3≤x4≤0.7，0.35≤y2≤0.65；0.3≤x5≤0.6；0.3≤x6≤0.98，0.4≤y3≤0.6；0.4≤x7≤0.6；0.5≤x8≤0.65；0.4≤x9≤0.6；0≤x10≤1，0.4≤y4≤0.6；所述GaAs薄层由至下而上交替生长的低掺n-GaAs层和高掺p-GaAs层组成，GaAs薄层的最上层为低掺n-GaAs层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种提高限制层载流子浓度的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD