申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司

申请日：2020-08-07

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN114069388B

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34;H01S5/343;H01S5/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.06#授权;2022.03.08#实质审查的生效;2022.02.18#公开

摘要：本发明涉及一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述半导体器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs1‑x1Px1下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、GaAs1‑x11Px11上过渡层和GaAs帽层。本发明还提供所述AlGaInP红光半导体激光器的制备方法。通过在GaAs过渡层生长界面上主动生长GaAsP过渡层，调整AsH3、PH3气流量比例，实现GaAs1‑xPx材料组份渐变生长，减少AsP气体切换引入的应力和缺陷，提高小功率AlGaInP红光半导体激光器使用寿命。

主权项：1.一种小功率AlGaInP红光半导体激光器件，由下至上依次包括衬底、GaAs过渡层、下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、渐变上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和GaAs帽层；其特征在于，所述下过渡层为GaAs1-x1Px1，0≤x1≤0.15，且组分渐变，x1由低值向高值渐变；所述上过渡层为GaAs1-x11Px11，0≤x11≤0.15，且组分渐变，x11由高值向低值渐变。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法

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