申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司

申请日：2020-09-04

公开（公告）日：2024-01-02

公开（公告）号：CN114142343B

主分类号：H01S5/20

分类号：H01S5/20;H01S5/34;H01S5/343;C23C16/02;C23C16/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.02#授权;2022.03.22#实质审查的生效;2022.03.04#公开

摘要：本发明涉及一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法，属于光电子技术领域，器件包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、Al1‑x1Gax1y1In1‑y1P渐变下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、Al1‑x5Gax5y3In1‑y3P渐变上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和帽层，通过优化渐变波导层结构设计，在AlGaInP渐变波导层中插入组分稳定Al1‑xGaxyIn1‑yP结构，优化该层厚度设计，达到抑制电子溢出的目的，同时利用AlInP作为限制层具有较高的光限制因子，使小功率AlGaInP红光激光器具有较小的工作电压及工作电流，高温工作时更加稳定。

主权项：1.一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器件，其特征在于，所述器件包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、Al1-x1Gax1y1In1-y1P渐变下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、Al1-x5Gax5y3In1-y3P渐变上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和帽层；其中，0.05≤x1≤0.6，0.4≤y1≤0.6；0.05≤x5≤0.6，0.4≤y3≤0.6；其中，Al1-x1Gax1y1In1-y1P及Al1-x5Gax5y3In1-y3P组分渐变；Al1-x1Gax1y1In1-y1P渐变下波导层组分渐变，x1由低值渐变至高值；Al1-x5Gax5y3In1-y3P渐变上波导层由三部分组成，从下到上依次为Al1-a1Gaa1b1In1-b1P、Al1-a2Gaa2b2In1-b2P、Al1-a3Gaa3b3In1-b3P，其中Al1-a1Gaa1b1In1-b1P、Al1-a3Gaa3b3In1-b3P组分渐变，a1由高值渐变至中间值，a3由中间值渐变至低值，而Al1-a2Gaa2b2In1-b2P组分稳定，a2取值固定，a1、a2、a3在x5的范围内，b1、b2、b3在y3的范围内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD