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【发明公布】具有从受保护总线耦合到地的FET器件的保护电路_升特股份有限公司_202311347968.7 

申请/专利权人:升特股份有限公司

申请日:2019-03-15

公开(公告)日:2024-01-05

公开(公告)号:CN117353259A

主分类号:H02H9/00

分类号:H02H9/00;H02H9/02;H02H9/04

优先权:["20180316 US 62/643,923","20190305 US 16/292,540"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.01.23#实质审查的生效;2024.01.05#公开

摘要:半导体器件包括电压输入电路节点和接地节点。第一晶体管耦合在电压输入电路节点和接地节点之间。触发电路与第一晶体管并联耦合在电压输入电路节点和接地节点之间。触发电路包括触发二极管。触发电路的输出耦合到第一晶体管的控制端子。通过在电压输入电路节点和接地节点之间耦合负载来为负载供电。

主权项:1.一种半导体器件,包括:输入电路节点;接地电路节点;第一晶体管,所述第一晶体管耦合在输入电路节点和接地电路节点之间;第一电阻器,所述第一电阻器耦合在第一晶体管的控制端子和接地电路节点之间;第二晶体管,所述第二晶体管耦合在输入电路节点和第一晶体管的控制端子之间;和触发电路,所述触发电路耦合在输入电路节点、接地电路节点和第二晶体管的控制端子之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 升特股份有限公司 具有从受保护总线耦合到地的FET器件的保护电路

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